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T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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11.99 MB
文档格式
pdf
语言
中文
类别
团体标准
更新日期
2025-07-07
关键词
晶片
器件
沟道
碳化硅
外延
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T∕CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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